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使用发射光谱对感应耦合CF4/CH4等离子体中C2基团形成机理的研究
引用本文:黄松,辛煜,宁兆元.使用发射光谱对感应耦合CF4/CH4等离子体中C2基团形成机理的研究[J].物理学报,2005,54(4).
作者姓名:黄松  辛煜  宁兆元
摘    要:利用强度标定的发射光谱法,研究了感应耦合CF4/CH4等离子体中空间基团的相对密度随宏观条件(射频输入功率、气压和流量比)的变化情况.研究表明:在所研究的碳氟/碳氢混合气体放电等离子体中除了具有丰富的CF,CF2,CH,H和F等活性基团外,还同时存在着C2基团,其相对密度随着放电功率的提高而增加;随着气压的上升呈现倒"U"型的变化.C2随流量比R(R=CH4]/{CH4]+CF4]})的变化不是单调的,其相对密度在R=7.5%时存在一个极大值,并随着R进一步增加而减弱,然后趋于一个稳定值.根据各基团相对密度的变化规律,认为等离子体中CF和CH基团的气相反应(CF+CH→C2+HF)是C2基团产生的主要途径,并提出了形成C2的基团碰撞的活化反应模型,据此进行的模拟计算的结果与实验相符.

关 键 词:发射光谱  感应耦合等离子体  C2基团

Studies on C2 radical by optical emission spectroscopy in an inductively-coupled CF4/CH4 plasma
Huang Song,Xin Yu,NING Zhao-yuan.Studies on C2 radical by optical emission spectroscopy in an inductively-coupled CF4/CH4 plasma[J].Acta Physica Sinica,2005,54(4).
Authors:Huang Song  Xin Yu  NING Zhao-yuan
Abstract:
Keywords:
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