| 3C-SiC(001)-(2×1)表面原子与电子结构研究 |
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| 引用本文： | 刘福,周继承,谭晓超.3C-SiC(001)-(2×1)表面原子与电子结构研究[J].物理学报,2009,58(11):7821-7825. |
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| 作者姓名： | 刘福 周继承 谭晓超 |
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| 作者单位： | 中南大学物理科学与技术学院,长沙 410083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：60371046)，湖南省科技重大专项资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用广义梯度近似的密度泛函理论方法计算了3C-SiC（001）-（2×1）表面的原子及电子结构．计算结果表明，3C-SiC（001）-（2×1）表面为非对称性的Si二聚体模型，其二聚体的Si原子间键长为0.232 nm．电子结构的计算结果表明，在费米能级处有明显的态密度，因此3C-SiC（001）-（2×1）表面呈金属性．在带隙附近存在四个表面态带，一个位于费米能级附近，一个位于费米能级以上5 eV处，另外两个位于费米能级以下的价带中．
关键词：
碳化硅
密度泛函理论计算
原子结构
电子结构
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| 关 键 词： | 碳化硅 密度泛函理论计算 原子结构 电子结构 |
| 收稿时间： | 2008-11-12 |
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