| 离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究 |
| |
| 引用本文： | 陈贵宾,陆卫,缪中林,李志锋,蔡炜颖,沈学础,陈昌明,朱德彰,胡钧,李明乾.离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究[J].物理学报,2002,51(3):659-662. |
| |
| 作者姓名： | 陈贵宾 陆卫 缪中林 李志锋 蔡炜颖 沈学础 陈昌明 朱德彰 胡钧 李明乾 |
| |
| 作者单位： | (1)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083;中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室,上海201800; (3)中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室,上海201800 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号 :10 0 740 6 8);;国家重点基础研究项目 (批准号 :G19980 6 14 0 4)资助的课题~~ |
| |
| 摘 要： | 采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAsAlGaAs非对称耦合量子阱单元,通过光致荧光谱测量,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应.荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心.
关键词：
量子阱
离子注入
光致荧光谱
界面混合
|
| 关 键 词： | 量子阱 离子注入 光致荧光谱 界面混合 |
| 收稿时间： | 2001-08-17 |
| 修稿时间： | 2001年8月17日 |
Study on ion-implantation induced intermixing effect of quantum well by using photoluminescence spectroscopy |
| |
| Chen Gui-Bin,Lu Wei,Liao Zhong-Lin,Li Zhi-Feng,Chai Wei-Ying,Shen Xue-Chu,Chen Chang-Ming,Zhu De-Zhang,Hu Jun and Li Ming-Qian.Study on ion-implantation induced intermixing effect of quantum well by using photoluminescence spectroscopy[J].Acta Physica Sinica,2002,51(3):659-662. |
| |
| Authors: | Chen Gui-Bin Lu Wei Liao Zhong-Lin Li Zhi-Feng Chai Wei-Ying Shen Xue-Chu Chen Chang-Ming Zhu De-Zhang Hu Jun and Li Ming-Qian |
| |
| Abstract: | The intermixing induced by ion-implantation on a series of comparable asymmetrical-coupled GaAs/AlGaAs quantum-well samples have been studied by photoluminescence(PL) spectra measurements. The results of the PL spectra and the calculation based on effective mass approximation theory show that the proton implantation is the dominate process for Al diffusion across the heterointerfaces. The main effect of rapid thermal annealing is to remove the non-radiative centre. |
| |
| Keywords: | quantum well ion-implantation photoluminescence intermixing |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
