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| Si_(1-x)Ce_x/Si量子阱发光材料制备及特性研究 | |
| 引用本文： | 杨宇,卢学坤,黄大鸣,蒋最敏,杨敏,章怡,龚大卫,陈祥君,胡际璜,张翔九,赵国庆.Si_(1-x)Ce_x/Si量子阱发光材料制备及特性研究[J].物理学报,1995(6). |
| 作者姓名： | 杨宇 卢学坤 黄大鸣 蒋最敏 杨敏 章怡 龚大卫 陈祥君 胡际璜 张翔九 赵国庆 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海200433(杨宇，卢学坤，黄大鸣，蒋最敏，杨敏，章怡，龚大卫，陈祥君，胡际璜，张翔九)，复旦大学物理二系 上海200433(赵国庆) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金部份资助的课题 |
| 摘 要： | 在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。 |
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