|
|||||
|
|
| a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的缺陷以及载流子的非辐射复合 | |
| 引用本文： | 王志超,滕敏康,张淑仪,葛网大,邱树业.a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的缺陷以及载流子的非辐射复合[J].物理学报,1988(8). |
| 作者姓名： | 王志超 滕敏康 张淑仪 葛网大 邱树业 |
| 作者单位： | 南京大学物理系声学研究所 (王志超，滕敏康，张淑仪)，南京无线电元件十七厂 (葛网大)，汕头大学物理系(邱树业) |
| 摘 要： | 应用红外光谱仪、分光光度计、光声谱仪和正电子湮没寿命谱仪,从不同的角度,研究a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的成分、缺陷以及光生载流子的非辐射复合。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 | |