| GaAs/SrTiO3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究 |
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| 引用本文： | 陈益栋,刘兴权,陆 卫,史国良,沈学础,Q.X.ZHAO,M.WILLANDER.GaAs/SrTiO3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究[J].物理学报,1999,48(9):1718-1722. |
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| 作者姓名： | 陈益栋 刘兴权 陆 卫 史国良 沈学础 Q.X.ZHAO M.WILLANDER |
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| 作者单位： | (1)Department of Physics,Fysikgrand 3,University of Chalmers,S-41296 Gteborg,Sweden; (2)中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 200083 |
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| 摘 要： | 报道了在钙钛矿型结构的SrTiO3衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的GaAs半导体单晶薄膜.应用光调制反射光谱和光荧光方法 ，研究了GaAs半导体薄膜的带间跃迁，并与通常的GaAs体材料特性进行了对比研究.结果表明，在钙钛矿型结构SrTiO3衬底上生长的GaAs单晶薄膜具有与单晶体材料相似的禁带与光学特性，在带间跃迁的弛豫上，外延薄膜相对体材料大了约5倍.
关键词：
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| 关 键 词： | 砷化镓 带间跃迁 半导体 单晶 薄膜 |
| 收稿时间： | 1998-12-21 |
STUDY OF THE INTER-BAND TRANSITION OF THE GaAs SINGLE-CRYSTAL FILM ON SrTiO3 SUBSTRATE BY MBE |
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| CHEN YI-DONG,LIU XING-QUAN,LU WEI,SHI GUO-LIANG,SHEN XUE-CHU,Q.X.ZHAO and M.WILLANDER.STUDY OF THE INTER-BAND TRANSITION OF THE GaAs SINGLE-CRYSTAL FILM ON SrTiO3 SUBSTRATE BY MBE[J].Acta Physica Sinica,1999,48(9):1718-1722. |
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| Authors: | CHEN YI-DONG LIU XING-QUAN LU WEI SHI GUO-LIANG SHEN XUE-CHU QXZHAO and MWILLANDER |
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| Abstract: | This paper reports the molecular beam epitaxy growth of the GaAs single crystal film on the perovskite oxide SrTiO3(001) substrate. The photo modulated reflectance spectroscopy and the photoluminescence measurement show that the energy band gap |
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| Keywords: | |
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