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纤锌矿CdxZn1-xO电子结构的第一性原理研究
引用本文:赵冬秋,刁先锋,王桂丽,邱国莉,黄晓伟,李蕴才.纤锌矿CdxZn1-xO电子结构的第一性原理研究[J].物理学报,2008,57(12).
作者姓名:赵冬秋  刁先锋  王桂丽  邱国莉  黄晓伟  李蕴才
作者单位:河南大学特种功能材料教育部重点实验室,开封,475001
摘    要:采用第一性原理的平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿ZnO及不同量Cd掺杂ZnO的电子结构.计算结果表明,Cd的掺杂导致ZnO晶体的禁带宽度变窄.主要原因在于Cd的掺入导致Zn 4s轨道中能级越来越低的电子参与作用,使得决定导带底的反键Zn 4s态能级逐渐降低,同时由pd反键轨道控制的价带顶能级逐渐升高.

关 键 词:密度泛函理论  超软赝势方法  Cd掺杂ZnO

First-principle calculation of electronic structure of the wurtzite CdxZn1-xO
Zhao Dong-Qiu,Diao Xian-Feng,Wang Gui-Li,Qiu Guo-Li,Huang Xiao-Wei,Li Yun-Cai.First-principle calculation of electronic structure of the wurtzite CdxZn1-xO[J].Acta Physica Sinica,2008,57(12).
Authors:Zhao Dong-Qiu  Diao Xian-Feng  Wang Gui-Li  Qiu Guo-Li  Huang Xiao-Wei  Li Yun-Cai
Abstract:
Keywords:
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