| 微量掺碳nc-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层 |
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| 引用本文： | 许颖,刁宏伟,张世斌,励旭东,曾湘波,王文静,廖显伯.微量掺碳nc-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层[J].物理学报,2007,56(5):2915-2919. |
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| 作者姓名： | 许颖 刁宏伟 张世斌 励旭东 曾湘波 王文静 廖显伯 |
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| 作者单位： | (1)北京市太阳能研究所有限公司，北京 100083; (2)葡萄牙里斯本大学材料中心，里斯本2829-516 葡萄牙; (3)中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室，凝聚态物理中心，北京 100083; (4)中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室，凝聚态物理中心，北京 100083；北京市太阳能研究所有限公司，北京 100083 |
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| 摘 要： | 采用等离子增强化学气相沉积方法(PECVD)制备了微量掺碳的p型纳米非晶硅碳薄膜(p-nc-SiC：H)，反应气体为硅烷和甲烷，掺杂气体采用硼烷，沉积温度分别采用333K，353K和373K.测量结果表明随着沉积温度增加和碳含量的增加，薄膜的光学带隙增加；薄膜具有较宽的带隙和较高的电导率，同时有较低的激活能(0.06eV).Raman和XRD测量结果表明薄膜存在纳米晶.优化的p型纳米非晶硅碳薄膜作为非晶硅p-i-n太阳电池的窗口层，使得太阳电池的开路电压达到0.94V.
关键词：
光学带隙
纳米硅
薄膜
太阳能电池
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| 关 键 词： | 光学带隙 纳米硅 薄膜 太阳能电池 |
| 文章编号： | 1000-3290/2007/56(05)/2915-05 |
| 收稿时间： | 2006-06-21 |
| 修稿时间： | 06 21 2006 12:00AM |
Deposition of P-type no-SiC:H thin films with subtle carbon incorporation for applications in p-i-n solar cells |
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| Xu Ying,Diao Hong-Wei,Zhang Shi-Bin,Li Xu-Dong,Zeng Xiang-Bo,Wang Wen-Jing,Liao Xian-Bo.Deposition of P-type no-SiC:H thin films with subtle carbon incorporation for applications in p-i-n solar cells[J].Acta Physica Sinica,2007,56(5):2915-2919. |
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| Authors: | Xu Ying Diao Hong-Wei Zhang Shi-Bin Li Xu-Dong Zeng Xiang-Bo Wang Wen-Jing Liao Xian-Bo |
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| Abstract: | This paper presents a detailed study on the effects of carbon incorporation and substrate temperature on structural, optical, and electrical properties of p-type nanocrystalline amorphous silicon films. A p-nc-SiC:H thin film with optical gap of 1.92eV and activation energy of 0.06eV is obtained through optimizing the plasma parameters. By using this p-type window layer, single junction diphasic nc-SiC:H /a-Si:H solar cells have been successfully prepared with a V_ oc of 0.94eV. |
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| Keywords: | Infrared absorption spectra optical band gap nanocrystalline silicon films solar cells |
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