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GaAs薄膜的有效量子限制长度及其极化子特性
引用本文:刘炳灿,李华,严亮星,孙慧,田强.GaAs薄膜的有效量子限制长度及其极化子特性[J].物理学报,2013,62(19):197302-197302.
作者姓名:刘炳灿  李华  严亮星  孙慧  田强
作者单位:1. 装甲兵工程学院基础部, 北京 100072;2. 北京师范大学物理系, 北京 100875
摘    要:本文用分数维方法研究AlxGa1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子特性, 提出了确定GaAs薄膜的有效量子限制长度的一个新方法, 解决了原来方法中在衬底势垒处有效量子限制长度发散的困难, 得到了AlxGa1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子的维数和结合能. 关键词: 分数维方法 极化子 GaAs薄膜

关 键 词:分数维方法  极化子  GaAs薄膜
收稿时间:2013-05-18

Effective length of quantum confinement and polaron effect in a GaAs film
Liu Bing-Can , Li Hua , Yan Liang-Xing , Sun Hui , Tian Qiang.Effective length of quantum confinement and polaron effect in a GaAs film[J].Acta Physica Sinica,2013,62(19):197302-197302.
Authors:Liu Bing-Can  Li Hua  Yan Liang-Xing  Sun Hui  Tian Qiang
Abstract:The polaron confined in a GaAs film deposited on AlxGa1-xAs substrate are investigated in the framework of the fractional-dimensional space approach. We propose a new approach to define the effective length of quantum confinement. Limitations of the definition of original effective well width are discussed. The dimension and the binding energy of a polaron confined in a GaAs film deposited on Al0.3Ga0.7As substrate are obtained and investigated.
Keywords: fractional-dimensional approach polaron GaAs film
Keywords:fractional-dimensional approach  polaron  GaAs film
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