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单晶铜在动态加载下空洞增长的分子动力学研究
引用本文:罗晋,祝文军,林理彬,贺红亮,经福谦. 单晶铜在动态加载下空洞增长的分子动力学研究[J]. 物理学报, 2005, 54(6): 2791-2798
作者姓名:罗晋  祝文军  林理彬  贺红亮  经福谦
作者单位:(1)四川大学物理科学与技术学院,成都 610064; (2)四川大学物理科学与技术学院,成都 610064;中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室,绵阳 621900; (3)中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室,绵阳 621900; (4)中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室,绵阳 621900;四川师范大学高压物理研究中心,成都 610068
基金项目:国家自然科学基金NSAF联合基金重点项目(批准号:10476027)和中国工程物理研究院科学技 术基金项目(批准号:20030104)资助的课题.
摘    要:冲击载荷下延性材料的损伤是材料中微空洞的产生和长大演化的结果.利用分子动力学模拟 方法对延性金属单晶铜中单个空洞在动态加载下的演化发展进行了研究,得到了空洞增长过 程中的应力分布及空洞增长演化随冲击强度变化的规律.模拟结果表明,动态加载下的前期 压缩过程对后期拉伸应力场作用下的空洞增长演化特征有不可忽视的影响,微空洞增长的阈 值则与单晶实验中层裂强度随拉伸应力作用时间减少而增加的趋势相一致.关键词:层裂分子动力学动态加载空洞

关 键 词:层裂  分子动力学  动态加载  空洞
文章编号:1000-3290/2005/54(06)2791-08
收稿时间:2004-07-29

Molecular dynamics simulation of void growth in single crystal copper under uniaxial impacting
Luo Jin,Zhu Wen-Jun,Lin Li-Bin,He Hong-Liang,Jing Fu-Qian. Molecular dynamics simulation of void growth in single crystal copper under uniaxial impacting[J]. Acta Physica Sinica, 2005, 54(6): 2791-2798
Authors:Luo Jin  Zhu Wen-Jun  Lin Li-Bin  He Hong-Liang  Jing Fu-Qian
Abstract:The evolution of micro-voids under dynamic loading mainly contributes to the dynamic damage of ductile materials. In this work, the evolution of a preexisting nano-void in single crystal copper is investigated by means of molecular dynamics(MD) simulation. The relation between the time evolution of complicated stress distribution and the void growth is obtained. The precompression process before the tension process has strong influence to the void growth. That high threshold makes the void grow coincides with the trend that a shorter tension duration wi ll lead to a higher spallation strength, which was found in latest single crysta l spallation experiment.
Keywords:spallation   molecular dynamics   dynamic loading   void
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