| γ-AlON晶体电子结构和光学性质研究 |
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| 引用本文： | 潘磊,卢铁城,苏锐,王跃忠,齐建起,付佳,张燚,贺端威.γ-AlON晶体电子结构和光学性质研究[J].物理学报,2012,61(2):27101-027101. |
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| 作者姓名： | 潘磊 卢铁城 苏锐 王跃忠 齐建起 付佳 张燚 贺端威 |
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| 作者单位： | 四川大物理科学与技术学院, 成都 610064;四川大物理科学与技术学院, 成都 610064;四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室, 成都 610064;四川大物理科学与技术学院, 成都 610064;四川大物理科学与技术学院, 成都 610064;四川大物理科学与技术学院, 成都 610064;四川大物理科学与技术学院, 成都 610064;四川大物理科学与技术学院, 成都 610064;四川大学原子与分子物理研究所, 成都 610065 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 50872083), 航空科学基金(批准号: 20100119003), 四川大学中央高校基本科研专项基金 (批准号: 2009SCU11126)资助的课题. |
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| 摘 要： | 本研究在基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)框架下, 采用局域密度近似(LDA)和赝势平面波方法, 计算了平衡结构尖晶石型γ -AlON的态密度和光学性质参数．结合表征电子结构的态密度, 分析了γ -AlON在0—30 eV范围内的复介电函数以及由其导出的折射率、反射谱、 吸收谱等．理论计算得出: γ -AlON零频介电常数ε1(0)=2.60, 折射率n0=1.61, 在红外到近紫外以及20.23 eV以上的紫外波段,其光吸收趋近于零, 表现为光学透明. 理论计算结果与相关实验数据相一致, 为γ -AlON在光学窗口及头罩材料等方面的应用提供了理论依据和参考.
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| 关 键 词： | γ -AlON 第一性原理 电子结构 光学性质 |
| 收稿时间： | 2012-02-27 |
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