| 多孔硅光致发光的温度效应研究 |
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| 引用本文： | 刘小兵,熊祖洪,袁 帅,陈彦东,何 钧,廖良生,丁训民,侯晓远.多孔硅光致发光的温度效应研究[J].物理学报,1998,47(8):1391-1396. |
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| 作者姓名： | 刘小兵 熊祖洪 袁 帅 陈彦东 何 钧 廖良生 丁训民 侯晓远 |
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| 作者单位： | (1)复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海 200433; (2)复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海 200433;长沙电力学院物理系，长沙 410077 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：19525410)资助的课题. |
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| 摘 要： | 通过对多孔硅光致发光峰随测量温度变化的研究，发现随测量温度的下降，光致发光峰位有两种截然不同的移动方向：发光峰中心波长较长的样品，主峰向低能方向移动(即红移)；而发光峰位波长较短的样品则向高能方向移动(即蓝移).根据多孔硅光致发光峰的温度效应，定性地给出了发光效率随波长变化的模拟曲线，并由此能较好地解释多孔硅光致发光峰位随温度变化而移动的实验现象.
关键词：
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| 关 键 词： | 峰位移动 多孔硅 光致发光 温度效应 |
| 收稿时间： | 1997-12-01 |
STUDIES ON TEMPERATURE DEPENDENCE OF PHOTOLUMINESCENCE IN POROUS SILICON |
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| LIU XIAO-BING,XIONG ZU-HONG,YUAN SHUAI,CHEN YAN-DONG,HE JUN,LIAO LIANG-SHENG,DING XUN-MIN and HOU XIAO-YUAN.STUDIES ON TEMPERATURE DEPENDENCE OF PHOTOLUMINESCENCE IN POROUS SILICON[J].Acta Physica Sinica,1998,47(8):1391-1396. |
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| Authors: | LIU XIAO-BING XIONG ZU-HONG YUAN SHUAI CHEN YAN-DONG HE JUN LIAO LIANG-SHENG DING XUN-MIN and HOU XIAO-YUAN |
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| Abstract: | The temperature dependence of photoluminescence (PL) in porous silicon has been investigated. It is found that the PL peak from the low porosity samples shows a red shift with decreasing temperature, but the blue shift of the PL peak is always observed in the high porosity samples. The temperature dependence of the PL peak shift observed experimentally can be qualitatively explained by the simulated curves of the luminescent efficiency versus wavelength. |
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| Keywords: | |
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