| GaN(0001)表面的电子结构研究 |
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| 引用本文： | 谢长坤,徐法强,邓锐,徐彭寿,刘凤琴,K.Yibulaxin.GaN(0001)表面的电子结构研究[J].物理学报,2002,51(11):2606-2611. |
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| 作者姓名： | 谢长坤 徐法强 邓锐 徐彭寿 刘凤琴 K.Yibulaxin |
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| 作者单位： | (1)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029; (2)中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥230026中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029; (3)中国科学院高能物理研究所,北京100039 |
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| 基金项目： | 中国科学技术大学高水平大学建设科研基地资助的课题 |
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| 摘 要： | 报道了纤锌矿WZ(wurtzite)GaN(0001)表面的电子结构研究.采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度,与以前实验结果一致.讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响.利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了价带电子结构.通过改变光子能量的垂直出射谱勾画沿ΓA方向的体能带结构,与计算得到的能带结构符合得较好.根据沿ΓK和ΓM方向的非垂直出射谱,确定了两个表面态的能带色散
关键词：
GaN
角分辨光电发射
全势线性缀加平面波
电子结构
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| 关 键 词： | GaN 角分辨光电发射 全势线性缀加平面波 电子结构 |
| 文章编号： | 1000-3290/2000/51(11)/2606-06 |
| 收稿时间： | 2002-03-25 |
| 修稿时间： | 5/1/2002 12:00:00 AM |
Studies on electronic structure of GaN(0001) surface |
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| Xie Chang-Kun,Xu Fa-Qiang,Deng Rui,Xu Peng-Shou,Liu Feng-Qin and K.Yibulaxin.Studies on electronic structure of GaN(0001) surface[J].Acta Physica Sinica,2002,51(11):2606-2611. |
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| Authors: | Xie Chang-Kun Xu Fa-Qiang Deng Rui Xu Peng-Shou Liu Feng-Qin and KYibulaxin |
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| Abstract: |
Keywords： |
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| Keywords: | GaN ARPES FPLAPW electronic structure |
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