| 掺镁铌酸锂晶体亚微米畴结构特性研究 |
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| 引用本文： | 姚江宏,陈亚辉,颜博霞,邓浩亮,孔勇发,陈绍林,许京军,张光寅.掺镁铌酸锂晶体亚微米畴结构特性研究[J].物理学报,2004,53(12):4369-4372. |
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| 作者姓名： | 姚江宏 陈亚辉 颜博霞 邓浩亮 孔勇发 陈绍林 许京军 张光寅 |
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| 作者单位： | 南开大学物理学院,天津 300071南开大学泰达学院应用物理学院,天津 300060 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重大项目 (批准号 :90 10 10 2 2 )，天津市自然科学基金 (批准号:0 3 3 60 0 911)，红外物理国家重点实验室基金资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 基于畴背向反转效应，利用外加短脉冲极化电场，通过对脉冲宽度、脉冲间隔以及脉冲个数的有效控制，在掺5mol％镁的铌酸锂晶体上得到周期为1.7μm的均匀亚微米畴结构，其纵向深度为30—50μm.同时，使用脉冲宽度为100ms的宽脉冲信号得到了畴带宽度仅为0.5μm的非对称微畴结构对亚微米畴结构产生的微观机制和物理过程进行了初步探讨.
关键词：
背向反转效应
掺镁铌酸锂晶体
周期极化
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| 关 键 词： | 背向反转效应 掺镁铌酸锂晶体 周期极化 |
| 收稿时间： | 7/3/2003 12:00:00 AM |
Submicron domain patterning in LiNbO3 doped MgO |
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| Yao Jiang-Hong,Chen Ya-Hui,Yan Bo-Xia,Deng Hao-Liang,KONG Yong-fa,CHEN Shao-lin,Xu Jing-Jun,Zhang Guang-Yin.Submicron domain patterning in LiNbO3 doped MgO[J].Acta Physica Sinica,2004,53(12):4369-4372. |
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| Authors: | Yao Jiang-Hong Chen Ya-Hui Yan Bo-Xia Deng Hao-Liang KONG Yong-fa CHEN Shao-lin Xu Jing-Jun Zhang Guang-Yin |
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| Abstract: | By using a microsecond pulse field, we succeeded in fabricating a uniform submic ron domain pattern with a period of 1.7μm in LiNbO3- doped 5mol% MgO. And the depth of these domain strips is, typically, about 30 to 50μm. When a pol ed field with a pulse width of 100ms is applied, the domain- inverted structure with a width of 0.5μm was obtained. Using the spontaneous domains backswitc hing and domain side- grown effects, we can explain the mechanism of the submicro n domains evolution. |
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| Keywords: | domain-structure backswitching MgO-doped LiNbO 3 periodical poling |
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