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声空化物理化学综合法制备发光多孔硅薄膜的微结构与发光特性
引用本文:刘小兵,史向华,廖太长,任鹏,柳玥,柳毅,熊祖洪,丁训民,侯晓远.声空化物理化学综合法制备发光多孔硅薄膜的微结构与发光特性[J].物理学报,2005,54(1):416-421.
作者姓名:刘小兵  史向华  廖太长  任鹏  柳玥  柳毅  熊祖洪  丁训民  侯晓远
作者单位:(1)长沙理工大学期刊中心,长沙 410076; (2)长沙理工大学物理与电子科学系,长沙 410077;复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海 200433; (3)复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海 200433; (4)湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室,长沙 410082;长沙理工大学计算机与通信工程学院,长沙 410076; (5)西南师范大学物理系,重庆 400715
基金项目:湖南省自然科学基金(批准号:04JJ3030)和国家自然科学基金(批准号:19525410)资助的课题.
摘    要:声空化所引发的特殊的物理、化学环境为制备高效发光的多孔硅薄膜提供了一条重要的途径.实验结果表明,声化学处理对于改善多孔硅的微结构,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术.超声波加强阳极电化学腐蚀制备发光多孔硅薄膜,比目前通用的常规方法制备的样品显示出更优良的性质.这种超声的化学效应源于声空化,即腐蚀液中气泡的形成、生长和急剧崩溃,在多孔硅的腐蚀过程中,孔中的氢气泡,由于超声波的作用增加了逸出比率和塌缩,有利于孔沿垂直方向的腐蚀. 关键词: 声空化方法 微结构 发光特性 多孔硅

关 键 词:声空化方法  微结构  发光特性  多孔硅
收稿时间:3/4/2004 12:00:00 AM
修稿时间:4/9/2004 12:00:00 AM

The microstructure and characteristics of luminescent porous silicon film prepared by the physicochemical sonic-vacating method
Liu Xiao-Bing,Shi Xiang-Hu,Liao Tai-Chang,Ren Peng,Liu Yue,Liu Yi,Xiong Zu-Hong,Ding Xun-Min and Hou Xiao-Yuan.The microstructure and characteristics of luminescent porous silicon film prepared by the physicochemical sonic-vacating method[J].Acta Physica Sinica,2005,54(1):416-421.
Authors:Liu Xiao-Bing  Shi Xiang-Hu  Liao Tai-Chang  Ren Peng  Liu Yue  Liu Yi  Xiong Zu-Hong  Ding Xun-Min and Hou Xiao-Yuan
Abstract:The special physicochemical environment caused by sonic_vacating provides an important outlet for the preparation of highly efficient luminescent porous silicon films.Experimental results show that sonic_chemical treatment is an effective t echnology for the improvement of the microstructure of porous silicon,and the luminescent efficiency and stability thereof.Luminescent porous silicon films,prep ared by ultrasonic-enhanced anode electrochemical etching,display better qualiti es than the samples prepared by conventionai methods widely used at present.This ultrasonic_chemical effect roots in sonic_vacating,i.e. the generation,formatio n and rapid collapse of bubbles in the etching solution.In the process of the po rous silicon being etched,the escape rate and caving_in of hydrogen bubbles in t he pores is increased as a result of the work of the ultrasonic waves,which is h elpful to the vertical etching of the pores.
Keywords:sonic_vacating method  microstructure  characteristics of luminescent  porous silicon
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