| 生长在Si(OO1)衬底上的超晶格(Si_2)_4/(GaAs)_4的电子能带结构及光学性质 |
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| 引用本文： | 徐至中.生长在Si(OO1)衬底上的超晶格(Si_2)_4/(GaAs)_4的电子能带结构及光学性质[J].物理学报,1995,44(12):1984-1993. |
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| 作者姓名： | 徐至中 |
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| 作者单位： | 复旦大学物理系,上海200433 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的课题. |
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| 摘 要： | 按照Peressi等的第一性原理赝势计算得到的原子几何构形及能带边不连续值,采用紧束缚方法计算了生长在Si(001)衬底上的超晶格(Si_2)_4/(GaAs)_4的电子能带结构及光跃迁振子强度.相应于两种不同的原子几何构形:X端界面及Y端界面情况,超晶格具有不同的基本带隙.但是不管哪种情况,它们都存在能量近乎简并的两类导带底能谷——Γ能谷及△能谷,它们的价带顶都处在Γ点.X端界面超晶格的价带顶附近的状态主要由GaAs层的价态波函数组成.对于Y端界面超晶格的价带顶附近的状态,Si层和GaAs层的价态波函数
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ELECTRONIC STRUCTURES AND OPTICAL PROPERTIES OF SUPERLATTICES (Si_2)_4/(GaAs)_4 GROWN ON Si(00l) |
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| XU ZHI-ZHONG.ELECTRONIC STRUCTURES AND OPTICAL PROPERTIES OF SUPERLATTICES (Si_2)_4/(GaAs)_4 GROWN ON Si(00l)[J].Acta Physica Sinica,1995,44(12):1984-1993. |
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| Authors: | XU ZHI-ZHONG |
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| Abstract: | With using the atomic geometrical structures and band-offset extracted from the results of computations by Peressi et al with first principle pseudopotential method, the electronic band structures and the optical oscillator strengths for the superlatti-ce |
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