| p型纳米硅与a-Si：H不锈钢底衬nip太阳电池 |
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| 引用本文： | 胡志华,廖显伯,刁宏伟,夏朝凤,曾湘波,郝会颖,孔光临.p型纳米硅与a-Si：H不锈钢底衬nip太阳电池[J].物理学报,2005,54(6):2945-2949. |
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| 作者姓名： | 胡志华 廖显伯 刁宏伟 夏朝凤 曾湘波 郝会颖 孔光临 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所，北京100083 [2]中国科学院半导体研究所，北京100083／／云南师范大学能源与环境科学学院，云南师范大学太阳能研究所，昆明650092 [3]云南师范大学能源与环境科学学院，云南师范大学太阳能研究所，昆明650092 |
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| 摘 要： | 报道了选用厚度为0．05mm的不锈钢箔作衬底，B掺杂P型氢化纳米硅作窗口层，制备成功开路电压和填充因子分别达到0．90V和0．70的nip非晶硅基薄膜单结太阳电池．UV-VIS透射谱和微区Raman谱证实所用p层具有典型氢化纳米硅的宽能隙和含有硅结晶颗粒的微结构特征．明确指出导致这种氢化纳米硅能隙展宽的物理机制是量子尺寸效应．
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| 关 键 词： | 氢化纳米硅 量子尺寸效应 硅氢薄膜太阳电池 不锈钢 磁控溅射 |
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