| 单层硅Si6H4Ph2的稳定性和电子结构密度泛函研究 |
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| 引用本文： | 宋健,李锋,邓开明,肖传云,阚二军,陆瑞锋,吴海平.单层硅Si6H4Ph2的稳定性和电子结构密度泛函研究[J].物理学报,2012,61(24). |
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| 作者姓名： | 宋健 李锋 邓开明 肖传云 阚二军 陆瑞锋 吴海平 |
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| 作者单位： | 南京理工大学理学院应用物理系,南京,210094 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，高等学校博士学科点专项科研基金( |
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| 摘 要： | 采用密度泛函计算方法，研究了二维单层硅Si6H4Ph2的稳定性及其电子结构．通过对纯硅纳米片Si6、加氢钝化的硅纳米片Si6H6以及添加苯基钝化的硅纳米片Si6H4Ph2对比研究，揭示了Si6H4Ph2的稳定性机理．通过电子结构研究，发现Si6H4Ph2与Si6H6类似，显示间接带隙半导体性质．
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| 关 键 词： | 单层硅Si6H4Ph2 稳定性 电子结构 密度泛函 |
Density functional study on the stability and electronic structure of single layer Si6H4Ph2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | single layer Si6HaPh2 stability electronic structure density functional calculations |
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