| 铜互连电迁移失效阻变特性研究 |
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| 引用本文： | 吴振宇,董嗣万,刘毅,柴常春,杨银堂.铜互连电迁移失效阻变特性研究[J].物理学报,2012,61(24). |
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| 作者姓名： | 吴振宇 董嗣万 刘毅 柴常春 杨银堂 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年科学基金，国家自然科学基金( |
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| 摘 要： | 基于铜互连电迁移失效微观机理分析建立一种Cu／SiCN互连电迁移失效阻变模型，并提出一种由互连阻变曲线特征参数即跳变台阶高度与斜率来获取失效物理参数的提取方法．研究结果表明，铜互连电迁移失效时间由一定电应力条件下互连阴极末端晶粒耗尽时间决定．铜互连电迁移失效一般分为沟槽型和狭缝型两种失效模式．沟槽型空洞失效模式对应的阻变曲线一般包括跳变台阶区和线性区两个特征区域．晶粒尺寸分布与临界空洞长度均符合正态对数分布且分布参数基本一致．阻变曲线线性区斜率与温度呈指数函数关系．利用阻变模型提取获得的电迁移扩散激活能约为0．9eV,与Black方法基本一致．
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| 关 键 词： | 互连 电迁移 阻变特性 |
Resistometric study on electromigration failure in copper interconnects |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | interconnect etectromigration resitometric characteristic |
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