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GaAs/SrTiO3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究
引用本文:陈益栋,刘兴权,陆卫,史国良,沈学础,Q.X.Zhao,M.Willander.GaAs/SrTiO3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究[J].物理学报,1999(9).
作者姓名:陈益栋  刘兴权  陆卫  史国良  沈学础  Q.X.Zhao  M.Willander
作者单位: 
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