| AlGaAs:Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构 |
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| 引用本文： | 肖细凤,康俊勇.AlGaAs:Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构[J].物理学报,2002,51(1):138-142. |
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| 作者姓名： | 肖细凤 康俊勇 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家"863"计划(批准号: 715-010-0022)、国家自然科学基金(批准号: 69976023)、福建省自然科学基金(批准号: A0020001)资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用定电容电压法,测量了n型Al0.26Ga0.74As:Sn中DX中心电子热俘获瞬态,以及不同俘获时间后的电子热发射瞬态;并对瞬态数据进行数值Laplace变换,得到其Laplace缺陷谱（LDS）。通过分析LDS谱,确定了电子热俘获和热发射LDS谱之间的对应关系,从而得到热俘获系数对温度依赖关系,以及与Sn相关的DX中心部分电子热俘获势垒的精细结构;通过第一原理赝势法计算表明,Sn附近的Al/Ga原子的不同配置是电子热俘获势垒精细结构产生的主要原因。
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| 关 键 词： | Laplace缺陷谱 俘获势垒 DX中心 AlGaAs：Sn 精细结构 深能级缺陷 锡 铝镓砷化合物 半导体 载流子 |
| 修稿时间： | 2001年1月12日 |
Fine structures of electron capture barriers of the DX centers in Sn-doped AIgAas |
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