| 脉冲磁场处理对碳纳米管掺杂MgB2线材临界电流密度的影响 |
| |
| 引用本文： | 陈荣华,朱明原,李瑛,李文献,金红明,窦士学.脉冲磁场处理对碳纳米管掺杂MgB2线材临界电流密度的影响[J].物理学报,2006,55(9). |
| |
| 作者姓名： | 陈荣华 朱明原 李瑛 李文献 金红明 窦士学 |
| |
| 摘 要： | 对碳纳米管(CNT)掺杂MgB2超导体磁场处理后的行为进行了研究. 结果表明,CNT掺杂MgB2超导体经5T脉冲磁场处理后临界电流密度Jc(H)在低磁场下提高了2-3倍,高场下提高一个数量级以上,扫描电镜结果显示CNT沿着处理磁场方向规则排列并且成为MgB2基体的形核中心和高效的磁通钉扎中心.
|
| 关 键 词： | 碳纳米管 脉冲磁场处理 |
Effect of pulsed magnetic field on critical current in carbon- nanotube-doped MgB2 wires |
| |
| Chen Rong-Hua,Zhu Ming-Yuan,Li Ying,Li Wen-Xian,Jin Hong-Ming,Dou Shi-Xue.Effect of pulsed magnetic field on critical current in carbon- nanotube-doped MgB2 wires[J].Acta Physica Sinica,2006,55(9). |
| |
| Authors: | Chen Rong-Hua Zhu Ming-Yuan Li Ying Li Wen-Xian Jin Hong-Ming Dou Shi-Xue |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | MgB2 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
