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Rb2TeW3O12电子结构及光学性质的第一性原理研究
引用本文:张勇,唐超群,戴君.Rb2TeW3O12电子结构及光学性质的第一性原理研究[J].物理学报,2005,54(2).
作者姓名:张勇  唐超群  戴君
摘    要:采用平面波超软赝势法对Rb2TeW3O12基态的几何结构、能带结构和光学特性等进行了系统的研究.几何结构研究不仅对基态平衡时的几何参量进行了优化计算,还对内部坐标做了优化,其结果和实验测量值符合得很好.电子结构的研究表明,Rb2TeW3O12属于宽禁带直接带隙半导体,禁带宽度为2.23eV,W 5d和O 2p轨道之间强烈杂化形成W-O共价键.计算了光学性质,给出了Rb2TeW3O12的介电函数实部ε1、虚部ε2及相关光学参量,理论计算的静态介电常数为5.29.

关 键 词:Rb2TeW3O12  电子结构  介电函数  密度泛函理论

Ab inition studies on the electric and optical properties of Rb2TeW3O12
Zhang Yong,Tang Chao-Qun,Dai Jun.Ab inition studies on the electric and optical properties of Rb2TeW3O12[J].Acta Physica Sinica,2005,54(2).
Authors:Zhang Yong  Tang Chao-Qun  Dai Jun
Abstract:
Keywords:
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