首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

纳米Cu3 N薄膜的制备与性能
引用本文:吴志国,张伟伟,白利峰,王君,阎鹏勋.纳米Cu3 N薄膜的制备与性能[J].物理学报,2005,54(4).
作者姓名:吴志国  张伟伟  白利峰  王君  阎鹏勋
摘    要:采用柱状靶多弧直流磁控溅射法,100℃基底温度下在玻璃衬底上制备了纳米氮化铜(Cu3N)薄膜.用x射线衍射研究了不同氮气分压对Cu3N薄膜晶体结构及晶粒尺寸的影响.结果显示薄膜由Cu3N和Cu的纳米微晶复合而成,其中Cu3N纳米微晶具有立方反ReO3结构.通过原子力显微镜对薄膜表征显示,膜表面比较光滑,具有较低的粗糙度.x射线光电子能谱对薄膜表面的成分分析表明,Cu3N薄膜表面铜元素同时以+1价和+2价存在.Cu3N的Cu2p3/2,Cu2p1/2及Nls峰分别位于932.7,952.7和399.9 eV,Cu2p原子自旋-轨道耦合裂分能量间距为20eV.用台阶仪和四探针方法测量了薄膜的厚度及电阻率,薄膜的沉积速率和电阻率在很大程度上受到氮气分压的调制.

关 键 词:氮化铜薄膜  多弧直流磁控溅射  立方反ReO3结构

Preparation and properties of nano-structure Cu3N thin films
WU Zhi-guo,Zhang Wei-Wei,BAI Li-feng,Wang Jun,YAN Peng-xun.Preparation and properties of nano-structure Cu3N thin films[J].Acta Physica Sinica,2005,54(4).
Authors:WU Zhi-guo  Zhang Wei-Wei  BAI Li-feng  Wang Jun  YAN Peng-xun
Abstract:
Keywords:
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号