| Y掺杂Al2O3高k栅介质薄膜的制备及性能研究 |
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| 引用本文： | 郭得峰,耿伟刚,兰伟,黄春明,王印月.Y掺杂Al2O3高k栅介质薄膜的制备及性能研究[J].物理学报,2005,54(12). |
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| 作者姓名： | 郭得峰 耿伟刚 兰伟 黄春明 王印月 |
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| 摘 要： | 利用射频反应共溅射方法制备了Y掺杂Al2O3电介质薄膜,用掠入射x射线衍射检测了薄膜的结构,用高分辨率扫描电子显微镜(HRSEM)、原子力显微镜(AFM)观察了薄膜断面和表面形貌,用高频C-V和变频C-V及J-V测量了样品的电学特性.结果表明,Y的掺入使电介质薄膜的介电常数k有了很大提高(8.14-11.8),并体现出了较好的介电特性.分析认为:与氧具有较大电负性差的Y离子的加入,增大了薄膜中的金属-氧键(M-O)的强度;同时,Y的加入使Al2O3的结构和原子配位发生了改变,从而提高了离子极化对薄膜介电常数的贡献.退火前后的XRD谱均显示薄膜为非晶态;HRSEM断面和AFM形貌像显示所制备的薄膜非常平整,能够满足器件要求.
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| 关 键 词： | 高k栅介质 掺杂氧化铝 射频反应溅射 |
Fabrication and properties of the Y-doped Al2O3 high-k gate dielectric films |
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| Guo De-Feng,Geng Wei-Gang,Lan Wei,Huang Chun-Ming,Wang Yin-Yue.Fabrication and properties of the Y-doped Al2O3 high-k gate dielectric films[J].Acta Physica Sinica,2005,54(12). |
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| Authors: | Guo De-Feng Geng Wei-Gang Lan Wei Huang Chun-Ming Wang Yin-Yue |
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