| 双波长外腔面发射激光器 |
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| 引用本文： | 邱小浪,王爽爽,张晓健,朱仁江,张鹏,郭于鹤洋,宋晏蓉.双波长外腔面发射激光器[J].物理学报,2019(11). |
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| 作者姓名： | 邱小浪 王爽爽 张晓健 朱仁江 张鹏 郭于鹤洋 宋晏蓉 |
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| 作者单位： | 重庆师范大学物理与电子工程学院;北京工业大学应用数理学院 |
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| 摘 要： | 双波长激光光源在干涉测量、非线性频率变换产生中红外及太赫兹波段相干辐射等方面有重要的应用.外腔面发射激光器具有输出功率高、光束质量好、发射波长可设计等突出优势,非常适合用于双波长的产生.用有源区为In0.185Ga0.815As/GaAs应变多量子阱、设计波长为960 nm,以及有源区为In0.26Ga0.74As/GaAsP0.02应变多量子阱、设计波长为1080 nm的两块半导体增益芯片,在一个共线Y型谐振腔中,获得了激光波长分别为953 nm和1100 nm的双波长输出,对应光谱线宽为1.1 nm和2.7 nm,波长间隔147 nm.室温下,每块增益芯片的抽运吸收功率均为5.8 W时,双波长激光器总的输出功率达到293 mW.
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