| 基于两步退火法提升Al/n~+Ge欧姆接触及Ge n~+/p结二极管性能 |
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| 引用本文： | 王尘,许怡红,李成,林海军,赵铭杰.基于两步退火法提升Al/n~+Ge欧姆接触及Ge n~+/p结二极管性能[J].物理学报,2019(17). |
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| 作者姓名： | 王尘 许怡红 李成 林海军 赵铭杰 |
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| 作者单位： | 厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电信息材料与器件重点实验室;厦门工学院电子信息工程系;厦门大学物理学系半导体光子学研究中心 |
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| 摘 要： | 锗(Ge)中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件.本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法,结合磷离子注入,制备Al/n~+Ge的欧姆接触以及Ge n~+/p结二极管.通过电流-电压特性测试来研究Al/n~+Ge的欧姆接触以及Ge n~+/p结二极管的性能,测试结果表明:低温预退火可初步修复注入损伤,并降低激光退火时杂质的扩散深度;结合离子注入工艺和两步退火工艺,Al/n~+Ge欧姆接触的比接触电阻率降至2.61×10~(-6)Ω·cm~2,Ge n~+/p结二极管在±1V的整流比提高到8.35×10~6,欧姆接触及二极管性能均得到了显著提升.
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