| Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究 |
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| 引用本文： | 胡良均,陈涌海,叶小玲,王占国.Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究[J].物理学报,2007,56(8):4930-4935. |
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| 作者姓名： | 胡良均 陈涌海 叶小玲 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 用高能离子注入(160keV)的方法对InAs/GaAs量子点结构进行掺杂，研究了不同退火工艺处理后量子点的光致发光和电学性能.相对于长时间退火，快速退火处理后的量子点发光通常较强.在相同的退火条件下，量子点发光峰位随着Mn注入剂量的增加，先是往高能量端快速移动，而后发光峰又往低能方向移动.后者可能是由于Mn原子进入InAs量子点，释放了InAs量子点中的应变所致.对于高注入剂量样品和长时间退火样品，变温电阻曲线在40 K附近会出现反常行为.
关键词：
离子注入
InAs/GaAs量子点
光致发光
团簇
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| 关 键 词： | 离子注入 InAs/GaAs量子点 光致发光 团簇 |
| 文章编号： | 1000-3290/2007/56(08)/4930-06 |
| 收稿时间： | 2006-12-01 |
| 修稿时间： | 2/8/2007 12:00:00 AM |
Electrical and optical properties of InAs/GaAs quantum dots doped by high energy Mn implantation |
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| Hu Liang-Jun,Chen Yong-Hai,Ye Xiao-Ling,Wang Zhan-Guo.Electrical and optical properties of InAs/GaAs quantum dots doped by high energy Mn implantation[J].Acta Physica Sinica,2007,56(8):4930-4935. |
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| Authors: | Hu Liang-Jun Chen Yong-Hai Ye Xiao-Ling Wang Zhan-Guo |
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| Institution: | Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Scierwes , Belling 100083, China |
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| Abstract: | V+ were implanted into anantase films by metal ion implantation. The electronic band structures of TiO2 films doped with V+ were calculated using a self-consistent full-potential linearized augmented plane-wave method with |
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| Keywords: | ion implantation InAs/GaAs quantum dot photoluminescence clusters |
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