Ge(112)-(4×1)-In表面重构的原子结构 |
| |
作者姓名: | 涂修文 盖峥 |
| |
作者单位: | 北京大学物理系人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金(批准号:19634010)资助的课题. |
| |
摘 要: | 用扫描隧道显微镜(STM)研究了亚单层In原子引起的Ge(112)-(4×1)-In表面重构.结合随偏压极性不同而显著不同的STM图象和相应的“原子图象”,为这个重构提出了一个原子结构模型,供进一步研究参考.其中,In原子的吸附位置与它在Si(112)表面的吸附位置一致,但与Al原子和Ga原子在Si(112)表面的吸附位置不同.这个吸附位置的不同主要是由In原子较长的共价键键长引起的关键词:表面结构InGe扫描隧道显微镜(STM)
|
关 键 词: | 表面结构 In Ge 扫描隧道显微镜(STM) |
文章编号: | 1000-3290/2001/50(12)2439-07 |
收稿时间: | 2001-04-02 |
修稿时间: | 2001-04-02 |
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录! |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|