首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

Ge(112)-(4×1)-In表面重构的原子结构
作者姓名:涂修文  盖峥
作者单位:北京大学物理系人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871
基金项目:国家自然科学基金(批准号:19634010)资助的课题.
摘    要:用扫描隧道显微镜(STM)研究了亚单层In原子引起的Ge(112)-(4×1)-In表面重构.结合随偏压极性不同而显著不同的STM图象和相应的“原子图象”,为这个重构提出了一个原子结构模型,供进一步研究参考.其中,In原子的吸附位置与它在Si(112)表面的吸附位置一致,但与Al原子和Ga原子在Si(112)表面的吸附位置不同.这个吸附位置的不同主要是由In原子较长的共价键键长引起的关键词:表面结构InGe扫描隧道显微镜(STM)

关 键 词:表面结构  In  Ge  扫描隧道显微镜(STM)
文章编号:1000-3290/2001/50(12)2439-07
收稿时间:2001-04-02
修稿时间:2001-04-02
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号