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| Ge(112)-(4×1)-In表面重构的原子结构 | |
| 作者姓名： | 涂修文 盖峥 |
| 作者单位： | 北京大学物理系人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:19634010)资助的课题. |
| 摘 要： | 用扫描隧道显微镜(STM)研究了亚单层In原子引起的Ge(112)-(4×1)-In表面重构.结合随偏压极性不同而显著不同的STM图象和相应的“原子图象”,为这个重构提出了一个原子结构模型,供进一步研究参考.其中,In原子的吸附位置与它在Si(112)表面的吸附位置一致,但与Al原子和Ga原子在Si(112)表面的吸附位置不同.这个吸附位置的不同主要是由In原子较长的共价键键长引起的关键词：表面结构InGe扫描隧道显微镜(STM) |
| 关 键 词： | 表面结构 In Ge 扫描隧道显微镜(STM) |
| 文章编号： | 1000-3290/2001/50(12)2439-07 |
| 收稿时间： | 2001-04-02 |
| 修稿时间： | 2001-04-02 |
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