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CHx掺杂SiCOH低介电常数薄膜的物性热稳定性分析
引用本文:杜杰,叶超,俞笑竹,张海燕,宁兆元.CHx掺杂SiCOH低介电常数薄膜的物性热稳定性分析[J].物理学报,2009,58(1).
作者姓名:杜杰  叶超  俞笑竹  张海燕  宁兆元
作者单位:1. 苏州大学物理科学与技术学院,江苏省薄膜材料实验室,苏州,215006
2. 上海交通大学物理系,上海,200030
摘    要:研究了真空热处理对掺CH.的SiCOH低介电常数薄膜的电流.电压(I-V)特性、电容.电压(C-V)特性、疏水性能以及微结构的影响.结果表明:在热处理过程中,热稳定性较差的碳氢基团发生了热解吸,使薄膜的漏电流减小、绝缘性能改善,并使薄膜的导电行为更趋于空间电荷限流过程.碳氢基团的热解吸使SiCOH/Si界面的界面态发生改变,导致SiCOH薄膜MIS结构的平带电压VFB发生漂移.封端的碳氢基团热解吸使薄膜表面的开口孔结构减少,薄膜表面变得更平整.但是碳氢基团为疏水基团,其热解吸导致薄膜的疏水性能降低.

关 键 词:SiCOH薄膜  热处理  结构与性能

Thermal stability of structure and properties of CHx doped SiCOH low dielectric constant films
Du Jie,Ye Chao,Yu Xiao-Zhu,Zhang Hai-Yan,Ning Zhao-Yuan.Thermal stability of structure and properties of CHx doped SiCOH low dielectric constant films[J].Acta Physica Sinica,2009,58(1).
Authors:Du Jie  Ye Chao  Yu Xiao-Zhu  Zhang Hai-Yan  Ning Zhao-Yuan
Abstract:
Keywords:
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