| 直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究 |
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| 引用本文： | 徐进,李福龙,杨德仁.直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究[J].物理学报,2007,56(7):4113-4116. |
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| 作者姓名： | 徐进 李福龙 杨德仁 |
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| 作者单位： | (1)厦门大学化学化工学院材料科学与工程系, 厦门 361005; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027 |
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| 基金项目： | 厦门大学科研启动经费;国家自然科学基金;福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划 |
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| 摘 要： | 利用透射电镜对掺氮(NCZ) 和普通 (CZ) 直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究. 研究表明，在NCZ样品中，有高密度的粒径为5nm的氧沉淀生成，而在CZ样品中，没有观察到这种氧沉淀. 初步认为，这种细小的氧沉淀是以650℃低温下形成的N-O复合体为核心在随后的冷却过程中形成.
关键词：
直拉硅
透射电镜
氧沉淀
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| 关 键 词： | 直拉硅 透射电镜 氧沉淀 |
| 文章编号： | 1000-3290/2007/56(07)/4113-04 |
| 收稿时间： | 2006-11-10 |
| 修稿时间： | 2006-11-10 |
Grown-in oxygen precipitates in czochralski silicon investigated by transmission electron microscopy |
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| Xu Jin,Li Fu-Long,Yang De-Ren.Grown-in oxygen precipitates in czochralski silicon investigated by transmission electron microscopy[J].Acta Physica Sinica,2007,56(7):4113-4116. |
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| Authors: | Xu Jin Li Fu-Long Yang De-Ren |
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| Abstract: | The grown-in oxygen precipitates in conventional Czochralski (CZ) silicon and nitrogen-doped Czochralski (NCZ) silicon have been investigated by means of transmission electron microscopy (TEM). Tiny oxygen precipitates about 5nm in size were observed in the NCZ specimens. It is believed that the oxygen precipitates may have grown from the heterogeneous nuclei of nitrogen-related complexes formed at a low temperature of 650℃. |
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| Keywords: | silicon transmission electron microscopy oxygen precipitate |
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