| 含氮氟化类金刚石(FN-DLC)薄膜的研究：(Ⅱ)射频功率对薄膜光学带隙的影响 |
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| 引用本文： | 肖剑荣,徐慧,郭爱敏,王焕友.含氮氟化类金刚石(FN-DLC)薄膜的研究：(Ⅱ)射频功率对薄膜光学带隙的影响[J].物理学报,2007,56(3):1809-1814. |
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| 作者姓名： | 肖剑荣 徐慧 郭爱敏 王焕友 |
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| 作者单位： | (1)中南大学材料科学与工程学院，长沙 410083; (2)中南大学物理科学与技术学院，长沙 410083; (3)中南大学物理科学与技术学院，长沙 410083；中南大学材料科学与工程学院，长沙 410083 |
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| 基金项目： | 感谢中南大学材料科学与工程学院余志明教授的指导. |
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| 摘 要： | 以CF4,CH4和N2为源气体，采用射频等离子体增强化学气相沉积法，在不同射频功率下制备了含氮氟化类金刚石薄膜样品.原子力显微形貌显示，低功率下沉积样品表面致密均匀.拉曼及傅里叶变换红外光谱分析显示，随着射频功率的改变，薄膜的结构和组分也随之变化.紫外-可见光透射光谱证明薄膜具有紫外强吸收特性，通过计算得到其光学带隙在1.89—2.29 eV之间.结果表明，射频功率增加，薄膜内sp2C含量增加，或者说C=C交联相对浓度增加、F的相对浓度降低，导致薄膜内π-π*带边态密度增大，光学带隙减小.
关键词：
含氮氟化类金刚石薄膜
射频功率
光学带隙
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| 关 键 词： | 含氮氟化类金刚石薄膜 射频功率 光学带隙 |
| 文章编号： | 1000-3290/2007/56(03)/1809-06 |
| 收稿时间： | 2006-07-28 |
| 修稿时间： | 07 28 2006 12:00AM |
Study on FN-DLC thin films:(Ⅱ)effect of radio frequency power on the optical band gap of the thin film |
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| Xiao Jian-Rong,Xu Hui,Guo Ai-Min,Wang Huan-You.Study on FN-DLC thin films:(Ⅱ)effect of radio frequency power on the optical band gap of the thin film[J].Acta Physica Sinica,2007,56(3):1809-1814. |
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| Authors: | Xiao Jian-Rong Xu Hui Guo Ai-Min Wang Huan-You |
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| Institution: | (School of physics science and technology, Central South University, Changsha 410083, 2. School of material science and engineering, Central South University, Changsha 410083 |
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| Abstract: | FN-DLC thin films, radio-frequency power, optical band gap |
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| Keywords: | Nitrogen doped fluorinated diamond-like carbon (FN-DLC) thin films is deposited using radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition under different radio-frequency power with CF4 CH4 and N2 assource gases Ato |
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