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BaTiO3/p-Si异质结的整流特性和光诱导特性的研究
引用本文:杨世海,金克新,王晶,罗炳成,陈长乐.BaTiO3/p-Si异质结的整流特性和光诱导特性的研究[J].物理学报,2013,62(14):147305-147305.
作者姓名:杨世海  金克新  王晶  罗炳成  陈长乐
作者单位:西北工业大学, 凝聚态结构与性质陕西省重点实验室, 空间应用物理与化学教育部重点实验室, 西安 710072
基金项目:国家自然科学基金,陕西省自然科学基金,航空基金,西北工业大学基础研究基金(批准号:JC201155;JC20110270)资助的课题.*Project supported by the National Natural Science Foundation of China,the Natural Science Foundation of Shaanxi Province;China,Aviation Foundation of China,the NPU Foundation for Fundamental Research
摘    要:利用脉冲激光沉积法成功制备了BaTiO3/p-Si异质结, 该异质结在80–300 K 显示出了良好的整流特性和光诱导特性. 开启电压随着温度的升高而逐渐降低. 利用不同频率的光子辐照样品, 观察到明显的光电导效应. 且随着照射光子能量的增大, 结电流也相应变大, 光诱导效应越明显. BaTiO3薄膜电阻-温度(R-T) 曲线显示氧缺陷条件下BaTiO3薄膜具有良好的半导体特性. 关键词: 异质结 光诱导效应 3薄膜')" href="#">BaTiO3薄膜

关 键 词:异质结  光诱导效应  BaTiO3薄膜
收稿时间:2013-01-18

Rectifying behavior and photocarrier injection effect in BaTiO3/p-Si heterostructure
Yang Shi-Hai , Jin Ke-Xin , Wang Jing , Luo Bing-Cheng , Chen Chang-Le.Rectifying behavior and photocarrier injection effect in BaTiO3/p-Si heterostructure[J].Acta Physica Sinica,2013,62(14):147305-147305.
Authors:Yang Shi-Hai  Jin Ke-Xin  Wang Jing  Luo Bing-Cheng  Chen Chang-Le
Abstract:A good rectifying behavior is observed in a temperature range from 80 K to 300 K in the BaTiO3/p-Si heterostructure, which is fabricated by a pulse laser deposition. The diffusion voltage (VD) decreases with the increase of temperature. A significant photocarrier injection effect is also observed with light irradiation. The photocarrier injection effect increases with the energy of photon increasing. Meanwhile, R-T curve of the BaTiO3 film indicates that the oxygen-deficient BaTiO3 is an n-type semiconductor.
Keywords: heterostructure photocarrier injection effect 3 film')" href="#">BaTiO3 film
Keywords:heterostructure  photocarrier injection effect  BaTiO3 film
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