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OsSi2电子结构和光学性质的研究
引用本文:李旭珍,谢泉,陈茜,赵凤娟,崔冬萌.OsSi2电子结构和光学性质的研究[J].物理学报,2010,59(3):2016-2021.
作者姓名:李旭珍  谢泉  陈茜  赵凤娟  崔冬萌
作者单位:贵州大学理学院,贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵阳 550025
基金项目:国家自然科学基金(批准号:60566001,60766002),科技部国际合作专项项目(批准号:2008DFA52210),贵州省信息产业厅项目(批准号:0831)资助的课题.
摘    要:采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对正交相OsSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明它是一种间接带隙半导体,禁带宽度为0813 eV;其价带主要由Os的5d和Si的3p态电子构成;导带主要由Si的3s,3p以及Os的5d态电子构成;静态介电常数ε1(0)=1543; 折射率n=393并利用计算的能带结构和态密度分析了OsSi2的介电函数、吸收系数、折射率、反射率、 关键词: 2')" href="#">OsSi2 第一性原理 电子结构 光学性质

关 键 词:OsSi2  第一性原理  电子结构  光学性质
收稿时间:8/1/2009 12:00:00 AM
修稿时间:8/8/2009 12:00:00 AM

The study on the electronic structure and optical properties of OsSi_2
Li Xu-Zhen,Xie Quan,Chen Qian,Zhao Feng-Juan,Cui Dong-Meng.The study on the electronic structure and optical properties of OsSi_2[J].Acta Physica Sinica,2010,59(3):2016-2021.
Authors:Li Xu-Zhen  Xie Quan  Chen Qian  Zhao Feng-Juan  Cui Dong-Meng
Abstract:Electronic structure,densities of states and optical properties of orthorhombic OsSi_2 was calculated by the first-principle density function theory pseudopotential method.The calculated results show that OsSi_2 is an indirect semiconductor with the band gap of 0.813 eV,the valence bands of OsSi_2 are mainly composed of Os 5d and Si 3p,the conduction bands are mainly composed of Si 3p,3s as well as Os 5d.The stastic dielectric function ε_1(0)is 15.43,the reflectivity n_0 is 3.93.Furthermore,the dielectric functions,refractivity index,reflectivity,absorption,conductivity and loss function of OsSi_2 are analyzed in terms of the calculated band structure and densities of states.The results offer theoretical data for the design and application of OsSi_2.
Keywords:OsSi2  first-principles  electronic structure  optical properties  
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