| 高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)与Si(110)固体表面作用的电子发射研究 |
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| 引用本文： | 王瑜玉,赵永涛,肖国青,房 燕,张小安,王铁山,王释伟,彭海波.高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)与Si(110)固体表面作用的电子发射研究[J].物理学报,2006,55(2):673-676. |
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| 作者姓名： | 王瑜玉 赵永涛 肖国青 房 燕 张小安 王铁山 王释伟 彭海波 |
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| 作者单位： | (1)兰州大学物理学院，兰州 730000; (2)中国科学院近代物理研究所，兰州 730000; (3)中国科学院近代物理研究所，兰州 730000;中国科学院研究生院，北京 100039 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：10405025，10475035)资助的课题. |
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| 摘 要： | 报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关.
关键词：
高电荷态离子
经典过垒模型
电子发射产额
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| 关 键 词： | 高电荷态离子 经典过垒模型 电子发射产额 |
| 文章编号： | 1000-3290/2006/55(02)/0673-04 |
| 收稿时间： | 04 22 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 7/4/2005 12:00:00 AM |
Electron emission induced by the interaction of highly charged ions 207Pbq+(24≤q≤36) with solid surface of Si(110) |
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| Wang Yu-Yu,Zhao Yong-Tao,Xiao Guo-Qing,Fang Yan,Zhang Xiao-An,Wang Tie-Shan,Wang Shi-Wei and Peng Hai-Bo.Electron emission induced by the interaction of highly charged ions 207Pbq+(24≤q≤36) with solid surface of Si(110)[J].Acta Physica Sinica,2006,55(2):673-676. |
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| Authors: | Wang Yu-Yu Zhao Yong-Tao Xiao Guo-Qing Fang Yan Zhang Xiao-An Wang Tie-Shan Wang Shi-Wei and Peng Hai-Bo |
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| Institution: | 1. Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China;2. Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China;3. School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China |
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| Abstract: | The electron emission induced by highly charged ions 207Pbq+(24≤q≤36) interacting with Si(110) surface is reported. The result shows that the electron emission yield Y has a strong dependence on the projectile charge state q, incidence angle ψ and impact energy E. In fitting the experimental data we found a nearly 1/tanψ dependence of Y. Theoretical analysis shows that these processes are closely related to the process of potential electron emission based on the classical over_the_barrier model. |
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| Keywords: | highly charged ion (HCI) classical over barrier model(COBM) electron emission yield |
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