| GaN(100)表面结构的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 李拥华,徐彭寿,潘海滨,徐法强,谢长坤.GaN(100)表面结构的第一性原理计算[J].物理学报,2005(1). |
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| 作者姓名： | 李拥华 徐彭寿 潘海滨 徐法强 谢长坤 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室 合肥230029
(李拥华，徐彭寿，潘海滨，徐法强)，中国科学技术大学国家同步辐射实验室 合肥230029(谢长坤) |
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| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 用全势缀加平面波加局域轨道 (APW +lo)的方法计算了六方GaN及其非极性 ( 10 10 )表面的原子及电子结构 .计算出的六方GaN晶体结构参数 :晶格常数和体积弹性模量与实验值符合得很好 .用平板超原胞模型来计算GaN( 10 10 )表面的原子与电子结构 ,结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性 .表面阳离子向体内移动 ,趋向于sp2 平面构形 ;而表面阴离子向体外移动 ,趋向于锥形的p3构形 .弛豫后 ,表面实现由半金属性向半导体性的转变 .并且 ,表面电荷发生大的转移 ,参与表面键的重新杂化 ,使得表面原子的离子性减弱共价性增强 ,认为这就是表面原子键收缩并旋转的原因
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| 关 键 词： | 氮化镓 APW+lo 电子结构 原子结构 |
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