| TiO2和SiO2薄膜应力的产生机理及实验探索 |
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| 引用本文： | 顾培夫,郑臻荣,赵永江,刘旭.TiO2和SiO2薄膜应力的产生机理及实验探索[J].物理学报,2006,55(12). |
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| 作者姓名： | 顾培夫 郑臻荣 赵永江 刘旭 |
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| 摘 要： | 对最常用的TiO2和SiO2薄膜应力, 包括应力模型、应力测试方法和不同实验条件下的应力测试结果作了研究.基于曲率法模型,对TiO2和SiO2单层膜和多层膜进行了实验测试,得到了一些有价值的结果,特别是离子辅助淀积和基板温度等工艺参数对薄膜应力的影响.提出了薄膜聚集密度是应力的重要因素,低聚集密度产生张应力,而高聚集密度产生压应力.在多层膜中通过调节工艺参数,适当地控制张应力或压应力,可使累积应力趋向于零.
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| 关 键 词： | 薄膜应力 离子辅助淀积 聚集密度 |
Study on the mechanism and measurement of stress of TiO2 and SiO2 thin-films |
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| Gu Pei-Fu,Zheng Zhen-Rong,Zhao Yong-Jiang,Liu Xu.Study on the mechanism and measurement of stress of TiO2 and SiO2 thin-films[J].Acta Physica Sinica,2006,55(12). |
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| Authors: | Gu Pei-Fu Zheng Zhen-Rong Zhao Yong-Jiang Liu Xu |
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