硅漂移电子温度测量系统的研制 |
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引用本文: | 宋先瑛,杨进蔚,廖敏,李旭,张轶泼,傅炳忠,罗萃文.硅漂移电子温度测量系统的研制[J].核工业西南物理研究院年报,2005(1):18-19. |
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作者姓名: | 宋先瑛 杨进蔚 廖敏 李旭 张轶泼 傅炳忠 罗萃文 |
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摘 要: | 在磁约束聚变装置中,对等离子体电子温度的测量一般采用电子回旋辐射法(ECE)、汤姆逊散射法以及软X射线能谱法。其中软X射线(1~20keV)能谱法是一种传统的方法,它比汤姆逊散射法的测量误差小,且有较好的时空分辨;与电子回旋辐射法(ECE)相比较,时空分辨能力相近,但可作绝对测量,并且受超热电子和逃逸电子的影响较ECE小。在软X射线能谱法的应用中,过去使用Si(Li)探测器来探测软X射线能谱,Si(Li)探测器体积大,能量分辨和量子效率低,并且需要使用液氮冷却,大体积的杜瓦(通常35L)使探测器体积庞大,
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关 键 词: | 软X射线能谱法 硅漂移探测器 电子温度 |
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