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HL-2A装置硅化对杂质线辐射的影响
引用本文:崔正英,孙平,潘宇东,李伟,王全明,曹曾,刘德权,王明旭.HL-2A装置硅化对杂质线辐射的影响[J].核工业西南物理研究院年报,2004(1):6-7.
作者姓名:崔正英  孙平  潘宇东  李伟  王全明  曹曾  刘德权  王明旭
摘    要:在2004年的实验中,首次在HL-2A偏滤器装置上进行了硅化器壁处理,在这种硅化器壁的条件下,对轻重杂质的线辐射进行了研究,并与无硅化条件下的杂质特性作了比较。在实验中,通过观测杂质的辐射特性研究了硅化对杂质的吸附作用和硅化效果的维持。并通过调整硅化后的辉光放电清洗,研究了硅化对氢再循环的影响。

关 键 词:硅化  杂质辐射  HL-2A偏滤器装置  硅化器壁处理  线辐射
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