| NO(X2Π1/2,3/2)υ=1←0塞曼跃迁谱及其特性研究 |
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| 引用本文： | 郭远清,刘红平,刘效庸,林洁丽,黄光明,高晖,李津蕊,李奉延,刘煜炎.NO(X2Π1/2,3/2)υ=1←0塞曼跃迁谱及其特性研究[J].波谱学杂志,1999,16(6). |
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| 作者姓名： | 郭远清 刘红平 刘效庸 林洁丽 黄光明 高晖 李津蕊 李奉延 刘煜炎 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院武汉物理与数学研究所,波谱与原子分子物理国家重点实验室,武汉,430071
2. 华中师范大学物理系,武汉,430079 |
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| 基金项目： | 国家攀登计划，中国科学院"百人计划"，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 根据塞曼效应理论和激光磁共振光谱技术(LMR)的基本原理,讨论了双原子分子2П态的塞曼效应特性并导出了解释分子塞曼跃迁的简明代数拟合方程,用这些方程对14N16O(X2Π1/2,3/2)及15N16O(X2Π3/2) (υ=1←0)的LMR谱线进行数据拟合,得到塞曼跃迁上、下子能级的gJ因子值和二级塞曼效应因子k2.将按Hund耦合情形(a)及过渡情形(ab)的理论和拟合方程计算出的磁场位置分别与实验结果相比较,结果表明对NO分子而言,过渡情形(ab)能较真实反映它的耦合情况,且在较高强度磁场下,必须计及二级塞曼修正.验证了采用上述代数拟合方程实现新分子LMR谱线标识和指认的可靠性,并提供了系统的处理方法.
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| 关 键 词： | 激光磁共振 塞曼效应 光谱特性 |
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