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不同气体环境下532nm激光诱导硅表面形貌的研究
引用本文:杨宏道,李晓红,李国强,袁春华,邱荣.不同气体环境下532nm激光诱导硅表面形貌的研究[J].中国光学与应用光学文摘,2011(1).
作者姓名:杨宏道  李晓红  李国强  袁春华  邱荣
作者单位:西南科技大学理学院激光与光电子实验室极端条件物质特性实验室;
基金项目:四川省教育厅资助科研项目(No.08ZB006和No.09ZA128); 西南科技大学博士研究基金资助项目(No.06ZX7113)
摘    要:研究了在不同气体环境下,利用532 nm Nd∶YAG纳秒脉冲激光累积辐照单晶硅表面形成的微结构,结果表明,在其他条件相同,背景气体不同的情况下,背景气体对硅表面形貌的形成起着重要的作用。具体分析了真空、N2和SF6 3种环境气氛下形成的微结构,结果显示,在SF6中形成的锥形微结构的数密度比在N2和真空中的大,并且锥形具有更大的纵横比;在N2、真空和SF6中形成的微结构尺寸依次减小。SF6气氛下,激光辅助化学刻蚀的效率比在真空和N2气氛中的高。另外,辐照区域边缘有波纹微结构形成,分析认为,该微结构的形成是由表面张力波的冷却导致的。

关 键 词:激光应用  表面微处理  激光辅助化学刻蚀    表面形貌  

Surface morphology of silicon induced by 532 nm nanosecond laser under different ambient atmospheres
YANG Hong-dao,LI Xiao-hong,LI Guo-qiang,YUAN Chun-hua,QIU Rong.Surface morphology of silicon induced by 532 nm nanosecond laser under different ambient atmospheres[J].Chinese Optics and Applied Optics Abstracts,2011(1).
Authors:YANG Hong-dao  LI Xiao-hong  LI Guo-qiang  YUAN Chun-hua  QIU Rong
Institution:YANG Hong-dao,LI Xiao-hong,LI Guo-qiang,YUAN Chun-hua,QIU Rong(Laboratory of Matter Characteristic Research at Extreme Conditions,Laser and photoelectron Laboratory,School of Science,Southwest University of Science and Technology,Mianyang 621010,China)
Abstract:
Keywords:laser application  surface micro-processing  laser-induced chemical etching  silicon  surface morphology  
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