|
|||||
|
|
| AlN缓冲层对ZnO薄膜质量的影响 | |
| 引用本文： | 宗磊,李清山,李新坤,张霞,梁德春,徐言东.AlN缓冲层对ZnO薄膜质量的影响[J].物理实验,2008,28(10). |
| 作者姓名： | 宗磊 李清山 李新坤 张霞 梁德春 徐言东 |
| 作者单位： | 1. 曲阜师范大学,物理工程学院,山东,曲阜,273165 2. 曲阜师范大学,物理工程学院,山东,曲阜,273165;鲁东大学,山东,烟台,264025 3. 曲阜师范大学,激光研究所,山东,曲阜,273165 |
| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积法以AlN为缓冲层在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,并测量了样品的XRD谱、SEM图和PL谱.结果表明,AlN缓冲层可以提高Si衬底上外延生长ZnO薄膜的晶体质量.改变缓冲层的生长温度(50～500 ℃)所制备样品的测量结果表明,较低温度下生长的AlN缓冲层有利于制备高质量的ZnO外延层薄膜,其中AlN缓冲层生长温度为100 ℃时外延生长ZnO薄膜晶体质量最好. |
| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 缓冲层 |
Influence of AlN buffer layer on the quality of ZnO thin films |
|
| ZONG Lei,LI Qing-shan,LI Xin-kun,ZHANG Xia,LIANG De-chun,XU Yan-dong.Influence of AlN buffer layer on the quality of ZnO thin films[J].Physics Experimentation,2008,28(10). | |
| Authors: | ZONG Lei LI Qing-shan LI Xin-kun ZHANG Xia LIANG De-chun XU Yan-dong |
| Abstract: | |
| Keywords: | ZnO AlN |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ | |