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| 单层MoSe2单晶的光学及电学性能探究 | |
| 引用本文： | 段程竽,陈佳美,辛星.单层MoSe2单晶的光学及电学性能探究[J].物理实验,2023(5):43-48. |
| 作者姓名： | 段程竽 陈佳美 辛星 |
| 作者单位： | 1. 东北师范大学物理学院;2. 东北师范大学物理学国家级实验教学示范中心(东北师范大学) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(No.52002056)； |
| 摘 要： | 采用Au箔作为生长衬底，通过化学气相沉积法制备了高质量的单层MoSe2单晶.通过光学显微镜、扫描电子显微镜、扫描透射电子显微镜等对其形貌和结构进行了表征，研究了单层MoSe2单晶的光学及电学特性.结果表明：单层MoSe2具有非线性光学特性，并具有直接带隙结构(带隙宽度约为1.56 eV)及较好的光致发光特性.当其作为场效应晶体管器件的半导体沟道材料时，器件的载流子迁移率为1.6 cm2/(V·s),开关比约为104. |
| 关 键 词： | MoSe2 化学气相沉积 拉曼光谱 二维半导体材料 |