| 低真空条件下制备的银薄膜的电阻率特性及结构 |
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| 引用本文： | 吴平,邱宏,赵云清,姜德怀,张蓓,赵雪丹,黄筱玲,潘礼庆,田跃.低真空条件下制备的银薄膜的电阻率特性及结构[J].物理实验,2007,27(3):3-6,13. |
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| 作者姓名： | 吴平 邱宏 赵云清 姜德怀 张蓓 赵雪丹 黄筱玲 潘礼庆 田跃 |
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| 作者单位： | 北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083 |
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| 基金项目： | 北京科技大学国家工科物理基础课程教学基地项目;北京科技大学校科研和教改项目;中国高等教育学会教育科学研究规划课题 |
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| 摘 要： | 研究了在2.2 Pa低真空条件下用直流溅射法制备的银薄膜的电阻率特性和薄膜结构.实验表明,薄膜厚度对薄膜电阻率有显著影响,随膜厚的增加薄膜电阻率降低,在膜厚大于200 nm时趋于稳定,电阻率为2.54×10-8Ω.m.薄膜表面和晶粒间界对传导电子的散射导致了银薄膜电阻率的尺寸效应.研究结果表明,可以在2.2 Pa的低真空条件下制备金属银薄膜,将银靶用于目前大学物理实验课中金属薄膜制备及金属薄膜电阻率测量实验是可行的.
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| 关 键 词： | 银薄膜 电阻率 结构 |
| 文章编号： | 1005-4642（2007）03-0003-04 |
| 修稿时间： | 2006-09-292006-12-15 |
Characteristics of resistivity and structure of silver films deposited in low vacuum |
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| WU Ping,QIU Hong,ZHAO Yun-qing,JIANG De-huai,ZHANG Bei,ZHAO Xue-dan,HUANG Xiao-ling,PAN Li-qing,TIAN Yue.Characteristics of resistivity and structure of silver films deposited in low vacuum[J].Physics Experimentation,2007,27(3):3-6,13. |
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| Authors: | WU Ping QIU Hong ZHAO Yun-qing JIANG De-huai ZHANG Bei ZHAO Xue-dan HUANG Xiao-ling PAN Li-qing TIAN Yue |
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| Institution: | Department of Physics, School of Applied Science, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silver film resistivity structure |
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