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| Si/SiO2多层膜的Ⅰ-Ⅴ特性研究 | |
| 引用本文： | 马自军,马书懿.Si/SiO2多层膜的Ⅰ-Ⅴ特性研究[J].物理实验,2008,28(5). |
| 作者姓名： | 马自军 马书懿 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 教育部科学技术研究重点项目 , 甘肃省重点实验室基金 , 甘肃农业大学理学院青年教师科研基金 |
| 摘 要： | 用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2多层膜,并对多层膜的Ⅰ-Ⅴ特性实验结果进行了拟合.分析表明,Si/SiO2多层膜的Ⅰ-Ⅴ特性由多种因素决定,单一的电流输运模型不能控制Si/SiO2多层膜的Ⅰ-Ⅴ特性,多层膜结构及氧化硅层的厚度是影响薄膜Ⅰ-Ⅴ特性的主要因素. |
| 关 键 词： | Si/SiO2多层膜 Ⅰ-Ⅴ特性 射频磁控溅射 电流输运 多层膜结构 特性实验 研究 Study properties 薄膜 影响 厚度 氧化硅 控制 输运模型 电流 因素 分析表 拟合 结果 法制 射频磁控溅射 |
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