首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

肖特基结的制备与势垒测量
引用本文:崔益民,陈彦,裴朝,潘晖,张高龙,钱建强,李华.肖特基结的制备与势垒测量[J].物理实验,2011,31(12).
作者姓名:崔益民  陈彦  裴朝  潘晖  张高龙  钱建强  李华
作者单位:北京航空航天大学物理教学与实验中心,北京,100191
摘    要:采用磁控溅射方法在Nb07%-SrTiO3基片上制作Au薄膜接触,并在氧气气氛下750℃退火30 min,在室温环境下测量电流电压和电容电压等特性曲线,观测整流特性,根据相应实验数据采用饱和电流法、电容C-2与反偏电压V成线性关系计算肖特基势垒的大小.

关 键 词:肖特基势垒  电流-电压特性  电容-电压特性  势垒高度

Preparation and measurement of Schottky barrier
CUI Yi-min,CHEN Yan,PEI Zhao,PAN Hui,ZHANG Gao-long,QIAN Jian-qiang,LI Hua.Preparation and measurement of Schottky barrier[J].Physics Experimentation,2011,31(12).
Authors:CUI Yi-min  CHEN Yan  PEI Zhao  PAN Hui  ZHANG Gao-long  QIAN Jian-qiang  LI Hua
Institution:CUI Yi-min,CHEN Yan,PEI Zhao,PAN Hui,ZHANG Gao-long,QIAN Jian-qiang,LI Hua(Physics Education and Experiment Center,Beihang University,Beijing 100191,China)
Abstract:
Keywords:Schottky barrier  current-voltage characteristic  capacitance-voltage characteristic  barrier height  
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号