| Si／SiNx／SiO2多层膜的光致发光 |
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| 引用本文： | 陈青云,段满益,周海平,董成军,魏屹,纪红萱,黄劲松,陈卫东,徐明.Si／SiNx／SiO2多层膜的光致发光[J].发光学报,2008,29(2):363-370. |
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| 作者姓名： | 陈青云 段满益 周海平 董成军 魏屹 纪红萱 黄劲松 陈卫东 徐明 |
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| 作者单位： | 1. 四川师范大学物理与电子工程学院,固体物理研究所低维结构物理实验室,四川,成都,610068
2. 四川师范大学物理与电子工程学院,固体物理研究所低维结构物理实验室,四川,成都,610068;重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065 |
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| 基金项目： | 四川省青年科技基金
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教育部留学回国人员科研启动基金
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四川师范大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。
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| 关 键 词： | Si/SiNx/SiO2多层膜 红外吸收 光致发光 |
| 文章编号： | 1000-7032(2008)02-0363-08 |
| 修稿时间： | 2007年7月11日 |
Photoluminescence of Si/SiNx/SiO2 Multilayers |
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| CHEN Qing-yun,DUAN Man-yi,ZHOU Hai-ping,DONG Cheng-jun,WEI Yi,JI Hong-xuan,HUANG Jin-song,CHEN Wei-dong,XU Ming.Photoluminescence of Si/SiNx/SiO2 Multilayers[J].Chinese Journal of Luminescence,2008,29(2):363-370. |
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| Authors: | CHEN Qing-yun DUAN Man-yi ZHOU Hai-ping DONG Cheng-jun WEI Yi JI Hong-xuan HUANG Jin-song CHEN Wei-dong XU Ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si/SiNx/SiO2 multilayers Fourier transform infrared absorption photoluminescence |
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