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MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究
引用本文:江风益,李述体,王立,熊传兵,彭学新,辛勇,姚冬敏. MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究[J]. 发光学报, 2000, 21(2): 120-124
作者姓名:江风益  李述体  王立  熊传兵  彭学新  辛勇  姚冬敏
作者单位:南昌大学,材料科学研究所,江西,南昌,330047
基金项目:国家863新材料领域!(715-001-0012),国家自然科学基金!(69676019),江西省跨世纪人才项目资助
摘    要:获得高质量的n型GaN单晶膜是制作GaN基光电子器件的关键之一。采用立式MOCVD系统生长GaN:Si单晶膜,通过优化生长工艺,获得了电子载流于浓度高达2 ×1019cm-3,迁移率达120cm2/V·s的n型GaN:Si单晶膜;并有效地抑制了GaN中由深能级引起的黄带发射,大大提高带边发光强度。研究结果还表明:随着S掺杂量的增大,GaN:Si单晶膜的电子载流于浓度增加,迁移率下降,X光双晶衍射峰半高宽增大。首次报道了随掺S量增大,GaN:Si单晶膜的生长速率显著下降的现象。

关 键 词:MOCVD 单晶膜 氮化镓

GaN:Si Single Crystal Films Grown on Sapphire Substrates by MOCVD
JIANG Feng-yi,LI Shu-ti,WANG Li,XONG Chuan-bing,PENG Xue-xin,XIN Yong,YAO Dong-min. GaN:Si Single Crystal Films Grown on Sapphire Substrates by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2000, 21(2): 120-124
Authors:JIANG Feng-yi  LI Shu-ti  WANG Li  XONG Chuan-bing  PENG Xue-xin  XIN Yong  YAO Dong-min
Abstract:
Keywords:MOCVD  GaN  photoluminescence  the double-crystal X-ray diffraction(DXRD)  the Van der Pauw Hall method
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