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掺钇钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究
引用本文:梁玲,顾牡,段勇,马晓辉,刘峰松.掺钇钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究[J].发光学报,2003,24(1):76-80.
作者姓名:梁玲  顾牡  段勇  马晓辉  刘峰松
作者单位:同济大学,玻耳固体物理研究所,上海,200092
基金项目:国家自然科学基金资助项目 ( 197740 43),高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划和教育部高等学校骨干教师资助计 划项目,上海市教育委员会重点学科研究项目,曙光计划项目 ( 02SG19),青年教师项目 ( 0 1QN18)资助项目
摘    要:通过透射谱、X射线激发发射谱(XSL)的测试,研究了Bridgman法生长的掺钇钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X光电子能谱(XPS)实验手段,对掺钇钨酸晶体的微观缺陷进行研究。实验表明,钇掺杂能够提高钨酸铅晶体的发光快成分比例,并使得晶体中的正电子俘获中心浓度下降,低价氧浓度下降。提出掺钇钨酸铅晶体中钇的掺杂主要以Y^3 占据VPb的形式存在。Y^3 占据VPb可能是钨酸铅晶体吸收边得到改善的原因,而由于晶体内低价氧浓度的减少,作为绿光发光中心的(WO3+O^-)基团的减少可能会使发光快成分比例有所增加。

关 键 词:发光性能  掺钇  钨酸铅晶体  微观缺陷  正电子湮没寿命谱  X光电子能谱
文章编号:1000-7032(2003)01-0076-05
修稿时间:2002年7月3日

The Luminescence and Point Defects in Y Doped PbWO4 Crystal
LIANG Ling,GU Mu,DUAN Yong,MA Xiao-hui,LIU Feng-song.The Luminescence and Point Defects in Y Doped PbWO4 Crystal[J].Chinese Journal of Luminescence,2003,24(1):76-80.
Authors:LIANG Ling  GU Mu  DUAN Yong  MA Xiao-hui  LIU Feng-song
Abstract:
Keywords:Y doped PbWO  4 crystal  point defects  positron annihilation lifetime  X-ray photoelectron spectrum
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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