| 氮掺杂氧化锌薄膜的光电特性 |
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| 引用本文： | 王双江,吴惠桢,金国芬,张莹莹,陈笑松,徐天宁.氮掺杂氧化锌薄膜的光电特性[J].发光学报,2008,29(3). |
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| 作者姓名： | 王双江 吴惠桢 金国芬 张莹莹 陈笑松 徐天宁 |
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| 作者单位： | 浙江大学物理系,固体光电子材料物理与器件实验室,浙江,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金
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浙江省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用气体反应电子束蒸发法,氨气氛下在玻璃上沉积了氮掺杂氧化锌(ZnO)薄膜。AFM观察发现氨气氛下生长的氮掺杂氧化锌薄膜表面比未掺杂样品的粗糙度略高,且随氨气压的增加粗糙度也随之增加,这可能与氨气氛对ZnO生长表面的轻微腐蚀作用有关,但表面依然比较平整。XRD分析显示,(0002)衍射峰位没有发生移动,但是氮掺杂后衍射峰的线宽比未掺杂样品稍有增加,衍射峰的半峰全宽由非掺杂ZnO的0.261°增加到0.427°。氧化锌掺氮后电阻率提高了4~7个数量级,达到了降低ZnO中电子浓度的目的。
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| 关 键 词： | 氮掺杂氧化锌薄膜 原子力显微镜 X射线衍射 光致发光光谱 电阻率 |
Optical and Electrical Properties of N-doped ZnO |
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| WANG Shuang-jiang,WU Hui-zhen,JIN Guo-fen,ZHANG Ying-ying,CHEN Xiaosong,XU Tian-ning.Optical and Electrical Properties of N-doped ZnO[J].Chinese Journal of Luminescence,2008,29(3). |
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| Authors: | WANG Shuang-jiang WU Hui-zhen JIN Guo-fen ZHANG Ying-ying CHEN Xiaosong XU Tian-ning |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | N-doped ZnO thin film AFM XRD PL spectra resistivity |
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